IBM日前表示,目前正在加紧开发一个新项目,进行碳纳米管集成电路的研究工作,该技术一但成功将有望在未来推进下一代芯片产品的处理速度。
据《自然科学》杂志报道,IBM目前已经建立了一个5阶段的环型震荡器,由12个场效应晶体管并排组成,刚好构成一个碳纳米管,该成果可能会在美国当地时间周五(24日)公布。
IBM称:“作为金属氧化物类半导体架构的补充,该装置的完成能够很好的调整目前正在使用的个别p型以及n型场效应晶体管(FET)的门电路功函。”
该装置将碳纳米管和FET的优势完全的融合在了一起,“单层碳纳米管(SWCNT)已经表现出了很好的电气性,例如在弹道输运(Ballistic Transport)方面,在室温下就表现了良好的优越性。”
IBM还表示:“场效应晶体管由许多个单独的‘管’组成,在直流性能规范上表现了比目前高端极品硅更好的性能。更重要的是,下一步将会把集成电路装配到SWCNT上以研究SWCNT在高频交流电下的接受能力。”一旦测试结果非常的理想,相信将会再次带动一次处理器方面的革命,在目前现有硅材料出现单处理器频率瓶颈的情况下,换用新材料也许会重新打开一个局面。IBM到时候也将再次站在处理器市场的前沿。
(第三媒体 2006-03-25)