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安森美半导体: 安森美半导体凭借最简单便携产品充电法获奖

作者:第三媒体     来源:www.TheThirdMedia.com     日期:2008-3-27

[摘要]  
   2008年3月26日 - 全球领先的高能效电源管理解决方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ONNN)宣布公司的NUS3116充电和电源开关解决方案因其最简单的便携产品充电方法获得EN-Genius Network颁发的“年度产品”奖。
 
[正文]    

   2008年3月26日 - 全球领先的高能效电源管理解决方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ONNN)宣布公司的NUS3116充电和电源开关解决方案因其最简单的便携产品充电方法获得EN-Genius Network颁发的“年度产品”奖。

安森美半导体: 安森美半导体凭借最简单便携产品充电法获奖

   NUS3116是主开关功率MOSFET和双充电双极结型晶体管(BJT),将主电池开关、墙式充电开关和USB充电开关元件集成到单个元件中,优化充电性能,并节省手持电子设备电路板上弥足珍贵的空间。

   EN-Genius Network出版人兼总编辑Paul McGoldrick说:“我们从EN-Genius在2007年评审的数百款产品中甄选出安森美半导体的NUS3116,因为这器件为便携充电应用提供了简单及高性价比的解决方案。”
 
   关于NUS3116
   NUS3116集成了主电源开关-12 伏(V)、-6.2安培(A) μCool?单P沟道MOSFET ,处理主电池开关功能,还集成了两个内置低饱和PNP晶体管,处理两个通道充电元件。主开关MOSFET具有40毫欧(m?)的最大导通阻抗RDS(ON),将便携电子产品电池工作期间的功率损耗降到最低。两个低Vce(sat)晶体管为高达2 A的充电电流提供良好的热性能,且在充电结束时的Vce压降低于240毫伏(mV)。

   NUS3116采用DFN-8封装,仅占用9平方毫米(mm2)的电路板空间,与通常使用三颗TSOP-6封装、需要互连空间的业界解决方案相比,节省了超过20 mm2的板空间。DFN-8封装的高度仅为0.8 mm,使该器件适用于极小外形的便携电子产品设计。采用 NUS3116 集成器件更可降低电路板布线的复杂性。NUS3116每3,000片的批量单价为0.80美元。

   关于EN-Genius Network的“年度产品”奖
   EN-Genius Network于2003年设立“年度产品”奖。这些奖项嘉许卓越的新推产品,从涵盖的技术范围,到表彰它们强大的技术优势、创新的设计和非凡的可销售性的产品。此奖项总计挑选29种不同产品,类别涵盖数据采集、音/视频技术、绿色技术、绿色电源工程、DSP、无线、连接、网络、无源、低功率和大功率等。

   关于安森美半导体(ON Semiconductor)
   安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ONNN)拥有跨越全球的物流网络和强大的产品系列,是电源、汽车、通信、计算机、消费产品、医疗、工业、手机和军事/航空等市场客户之首选高能效电源解决方案供应商。公司广泛的产品系列包括电源、模拟、数字信号处理器(DSP)、混合信号、先进逻辑、时钟管理和标准元器件。公司的全球总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯,并在北美、欧洲和亚太地区等关键市场运营包括制造厂、销售办事处和设计中心的业务网络。

   (新闻稿 2008-03-27)


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