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IR半导体: IR公司 推出新25V及30V N通道沟道MOSFET

上传:fenbening     来源:信息存储服务     日期:2009-05-14

[摘要]  
   国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出一系列新型 25V 及 30V N通道沟道 HEXFET 功率 MOSFET 。它们针对同步降压转换器和电池保护增强了转换性能,适用于消费和网络领域的计算应用。
 
[正文]    

   产品的基本规格如下:


单个 N通道

器件编号

Bvdss

(V)

封装

10Vgs下的

最大RDS(on) (mΩ)

4.5Vgs下的

最大RDS(on) (mΩ)

TC=25°C 下的Id (A)

TA =25°C 下的Id (A)

典型Qg

(nC)

IRL(R,U)8256(TR)PBF

25

D-Pak/I-PAK

5.7

8.5

81

N/A

10

IRL(R,U)8259(TR)PBF

25

D-Pak/I-PAK

8.7

12.9

57

N/A

6.8

IRF8252(TR)PBF

25

SO-8

2.7

3.7

N/A

25

35

IRL(R,U)8743(TR)PBF

30

D-Pak/I-PAK

3.1

3.9

160

N/A

39

IRL(R,U)8726(TR)PBF

30

D-Pak/I-PAK

5.8

8.0

86

N/A

15

IRL(R,U)8721(TR)PBF

30

D-Pak/I-PAK

8.4

11.8

65

N/A

8.5

IRL(R,U)8729(TR)PBF

30

D-Pak/I-PAK

8.9

11.9

58

N/A

10

IRFH3702(TR,TR2)PBF

30

PQFN 3 x 3

7.1

11.8

N/A

16

9.6

IRFH3707(TR,TR2)PBF

30

PQFN 3 x 3

12.4

17.9

N/A

12

5.4

IRFH7932(TR,TR2)PBF

30

PQFN 5 x 6

3.3

3.9

N/A

24

34

IRFH7934(TR,TR2)PBF

30

PQFN 5 x 6

3.5

5.1

N/A

24

20

IRFH7936(TR,TR2)PBF

30

PQFN 5 x 6

4.8

6.8

N/A

20

17

IRFH7921(TR,TR2)PBF

30

PQFN 5 x 6

8.5

12.5

N/A

15

9.3

IRFH7914(TR,TR2)PBF

30

PQFN 5 x 6

8.7

13

N/A

15

8.3

IRF8788(TR)PBF

30

SO-8

2.8

3.8

N/A

24

44

IRF7862(TR)PBF

30

SO-8

3.7

4.5

N/A

21

30

IRF8734(TR)PBF

30

SO-8

3.5

5.1

N/A

21

20

IRF8736(TR)PBF

30

SO-8

4.8

6.8

N/A

18

17

IRF8721(TR)PBF

30

SO-8

8.5

12.5

N/A

14

8.3

IRF8714(TR)PBF

30

SO-8

8.7

13

N/A

14

8.1

IRF8707(TR)PBF

30

SO-8

11.9

17.5

N/A

11

6.2

 
   N/A = 不适用

   双 N通道
 

器件编号

封装

配置

Bvdss

(V)

10Vgs

最大RDS(on) (mΩ)

最大Vgs (V)

典型Qg

(nC)

IRF8313PBF

SO-8

独立

对称

30

15.5

± 20

6.0

IRF8513PBF

SO-8

半桥

非对称

30

12.7

± 20

7.6

15.5

5.7

 
   (新闻稿 2009-05-14)


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2楼     Re: IR半导体: IR公司 推出新25V及30V N通道沟道MOSFET
  应用的地方蛮广的,看来做的挺成功的。
  作者:棉花糖    2009-5-14 22:02:00
   
 
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