世界功率管理技术领袖国际整流器公司（International Rectifier，简称IR）近日推出一款新型的DirectFET MOSFET芯片组。新品可配合IR近期发布的IR2086S全桥总线转换器集成电路，使直流总线转换器达到最高效率。这款芯片组可以提供完善的总线转换器解决方案，在比四分之一砖转换器还要小29%的电路板面积上，实现效率高达97%的336W功率。
全新的IRF6646及IRF6635适用于隔离式DC-DC转换器总线转换器的固定48V及36V到60V输入桥式电路拓扑、同步降压非隔离式DC-DC电路拓扑、针对移动通信的18V到36V输入正激及推挽式转换器，以及调节式输出隔离式DC-DC应用中的次级同步整流。
业界标准的300W四分之一砖设计往往包含多达10个MOSFET（4个初级和6个次级）、1个脉宽调制（PWM）集成电路及2个半桥驱动器集成电路。IR的新芯片组方案则只有6个MOSFET（4个初级和2个次级）及1个单独的集成电路，节省功率半导体零件数达46%。
此外，以这种芯片组制成的隔离式总线转换器DC-DC能有效节省多达29%的占板空间，更可提升工作效率1.5个百分点。
IRF6646 80V MOSFET的最大导通电阻为9.5mΩ ，较相同面积的同类器件改善了37%，成为业界之最，并可针对初级桥式电路拓扑进行定制。IRF6635 30V MOSFET的最大导通电阻为1.8mΩ ，是特别为次级同步整流优化的。该器件可在相同面积下实现最低的导通电阻，超过同类器件22%。
这组MOSFET可与最新面世的IR2086S全桥直流总线转换器集成电路和现有的IRF6608 30V DirectFET MOSFET结合起来用作次级栅钳位。
IR中国及香港销售总监严国富指出，最新的IRF6646和IRF6635可实现更高的效率，工作时的外壳温度比SO-8器件约低40°C 。器件温度对整体即时故障率(FIT)及平均无故障工作时间(MTBF)都有直接的影响，因为温度在有关计算中属于首要参数。简而言之，温度每降低10°C ，故障率便可降低50%。
芯片组的基本规格如下：
产品编号 封装 VDSS VGS=10V下最大RDS(on) 典型Qg 典型Qgd
IRF6646 DirectFET 中MN 80V 9.5mΩ 36nC 12nC
IRF6635 DirectFET中MX 30V 1.8mΩ 47nC 17nC
使用最新80V与30V DirectFET MOSFET，可得到IR myPOWER网上设计中心的支持。IR还提供以下应用资料，使用户加深对DirectFET封装技术的认识：
· AN-1035: DirectFET MOSFET板上安装指南
· AN-1050: DirectFET MOSFET物料与实际应用
· AN-1059: DirectFET MOSFET热注塑和特性
IR的专利DirectFET MOSFET封装综合了一系列最新设计的优点，这些优点在标准的塑料分立封装中前所未有。其金属罐结构可进行双面冷却，为驱动先进微处理器的高频DC-DC降压转换器带来双倍的电流处理能力。此外，这些采用DirectFET封装的器件符合RoHs标准，不含铅或溴化物。
最新的80V IRF6646 及30V IRF6635 DirectFET MOSFET同步降压芯片组现已供货，以一万片计算，IRF6646与IRF6635的单价分别为1.37 美元和1.50美元，价格可能会有变动。（新闻稿 博达公关提供 2005-06-16）
