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IR半导体: IR公司 推出新25V及30V N通道沟道MOSFET
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[新闻图片]IR半导体: IR公司 推出新25V及30V N通道沟道MOSFET
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[简介]
新 MOSFET 系列采用了 IR 经过验证的硅技术,可提供基准通态电阻 (RDS(on)) ,并且提高了转换性能。新器件的低传导损耗改善了满载效率及热性能,即使在轻负载条件下,低转换损耗也有助于实现高效率。 IR 亚洲区销售副总裁潘大伟表示:“这些新型 MOSFET 采用 Power QFN 封装,...
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